前端器件。诚然，在过去多年的发展中，Qorvo 已经夯实了公司在射频领域的地位，尤其是在移动设备方面。
他同时指出，Qorvo 在汽车市场也深耕多年。通过提供集成功率放大器（PA）、开关、低噪声放大器（LNA）和滤波器等组件的单个预认证模块，Qorvo 能够进一步降低车规应用PCB开发设计的复杂性，加快了设计和整体上市时间。
“除了这些射频产品，Qorvo 还能提供包括 UWB、SiC 和触摸传感器在内的丰富器件。” 孔德正说。
作为一个上世纪 60 年代面世的技术，UWB 因其能够准确测量飞行时间，最早被应用于军事雷达探测，并没有被应用于民用领域。直到苹果近年来在其手机中集成了 UWB芯片，这项技术开始大放异彩。但其实 Qorvo 于 2020 年收购的 Decawave 也是最早将 UWB 技术商业化的公司之一，公司也早在 2013 年便和捷豹路虎公司在 UWB 方面建立合作，探讨如何利用 UWB 超宽带技术提升汽车钥匙安全性。
“而在 IEEE 802.15.4z 标准推出后，UWB 的安全性得到了进一步标准化，而 CCC R3 的标准中，将 UWB 写入无钥匙进入的规范中，真正的推动了 UWB 车钥匙在车企中的应用。” 孔德正接着说。
据孔德正介绍，基于 UWB 的安全性，高精度测距，以及雷达检测功能。该技术在汽车上拥有丰富的应用场景，可以在不同的应用中发挥作用，例如无钥匙进入、替代传统电容式检测传感器脚踢开启后尾箱门、停车场导航/找车和网约车精确定位乘客等功能。
具体到汽车的实际部署上，孔德正进一步指出，我们至少要放置五颗 UWB 芯片，分布在汽车的四个方向上（可以是在你的 B 柱或者 A 柱，还有后尾门），这样的设计让你很好就能覆盖360°探测到整个车周边的连接情况。至于剩下的一颗，则需要放在你的主驾驶处前方，这样能保证你进入车舱和车门以外，可以被检测到。
在这五个 UWB 芯片之上，我们还可以根据每家车厂的需求，增减一些 UWB 芯片。例如有一些还会在车尾部，去打开后尾门，需要额外再部署一颗 UWB 芯片。如果我们需要在车内提供一个人的活体检测功能，主流的解决方案就是需要再在车内部署两颗 UWB 芯片（一收一发），实现四线雷达的效果。
“所以整部车上的 UWB 芯片部署应该是最少在 5 颗，最多在 7 到 9 颗。” 孔德正总结说。“Qorvo 年底会推出一款单芯片解决方案，可以省去另外一个车内的芯片。” 孔德正透露。
来到 UWB 最近被高度关注的汽车应用——车钥匙方面。孔德正表示，这通常需要具备这么几个模块：一是必须要有一个安全芯片，把密钥存在里面；一是需有一个 UWB 芯片。除此之外，根据规定，还需要有蓝牙NFC。其中，蓝牙是需要和 UWB 结合使用以打开车门。
换而言之，该应用最早建立安全沟通的是通过蓝牙和汽车上的蓝牙建立安全预监、进行密钥签名，这属于初级的安全链接建立。当进一步靠近汽车的时候，UWB 才会建立起更加安全的通讯，会实时对你进行测距，会检测到或者预判你的动作是否在接近这辆汽车，然后就可以执行一系列后续的操作。
为了更好地执行 UWB 在汽车上的应用，一些厂商现在还在推动手机的 UWB 用于解锁汽车的功能。有见及此，Qorvo 推出了符合 IEEE 802.15.4z 标准，以及 FiRa 联盟 PHY - MAC 规范和车联网联盟 (CCC) 规范的 UWB 芯片，以满足更多的需求。
据资料显示，Qorvo DW3720 UWB 解决方案支持多种新使用案例，从 “寻找我的物品” 应用和室内定位/室内导航到保护点对点交融交易安全，以及其他基于位置的 “安全类” 应用。超宽带可提供准确的距离和位置信息，支持连接设备感知使用环境，从而实现无缝、安全且直观的用户体验。
孔德正表示，如图所示，借助 QPF5100Q，可以提供单雷达芯片的解决方案。基于双核的 3300Q 则能实现更丰富的功能。通过与 Qorvo 的射频前端器件结合，Qorvo 能够给客户提供一个完整可靠且开发便利的 UWB 解决方案。
据介绍，Qorvo 推出的 3D 压力传感，是使用MEMS压力传感器实现 3D 压力检测，为移动应用、真正无线立体声 (TWS)、消费、汽车、物联网机器人、医疗和工业市场提供传感器解决方案。
“通过将 MEMS 力度传感器和红外(IR) 检测传感器结合，Qorvo 打造了新的用户接口体验。产品包括传感器和模拟前端，内部集成ASIC处理关键算法，比如基线自动补偿校准、超低功耗控制以及内置温度传感器和温度补偿逻辑等特性和功能，客户无需处理模拟信号，传感器输出数字信号。在 100Hz 采样率下，功耗仅 5uA，单颗传感器可以覆盖直径 8cm 左右的感应面积。” 孔德正说。
值得一提的是，Qorvo最新推出的 750V SiC FET 器件拥有全球最低的 5.4 mΩ 的导通阻抗，而基于独特的 Cascode 电路结构（即共源共栅），该器件将 SiC JFET 与 SiMOSFET共同封装在一个器件内部，以提供行业最低的导通电阻和优秀开关性能，还能与硅基 MOSFET、IGBT以及 SiC MOSFET 实现兼容。通过采用先进的晶圆减薄工艺和银烧结芯管连接实现了卓越的热性能，并且集成了通压降非常低的体二极管和栅极集成ESD 保护，这些产品能在提高效率的同时带来安全保护。
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